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在当今数字时代，芯片制造工艺的突破一直是科技发展的核心驱动力。近期，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)传来激动人心的消息：一项革命性的铥基激光技术即将问世，这项技术有望彻底改变现有的芯片制造工艺。
这项被称为大口径铥激光(BAT)的创新技术，采用了全新的2微米波长激光系统，相比传统的二氧化碳激光器，在芯片制作的完整过程中可以在一定程度上完成显著的效率提升。专家预测，该技术可能使光源效率提高约十倍，这在某种程度上预示着未来芯片制造不仅速度更快，还能大幅度降低能源消耗。
目前芯片制造业面临的一个重大挑战是极紫外光刻(EUV)系统的巨大能耗。以最新的High-NA EUV系统为例，单台设备的功耗就高达1,400千瓦。造成如此高能耗的原因是其特殊的工作原理：系统要通过高能激光每秒数万次击打锡滴，将其加热至50万摄氏度以产生等离子体，从而发射特定波长的光线。
据半导体行业研究机构IC Insights统计，全球芯片制造商的年度用电量正以惊人的速度增长。预计到2025年，仅台积电一个企业的用电量就将达到惊人的7.2万亿瓦时，相当于整个丹麦的年用电量。
BAT技术的优势不仅在于其节能特性。该技术采用了创新的二极管泵浦固态技术，具有更加好的热管理能力和系统稳定性。LLNL的首席研究员表示，他们已完成了大量的理论模拟和验证实验，研究结果令人振奋。
不过，新技术的实际应用仍面临着不少挑战。芯片制造有经验的人指出，将BAT技术整合进现有的生产线要解决众多技术难题，包括光束的精确控制、系统稳定性的保证以及与现有设备的兼容性等。
值得一提的是，随着量子计算、人工智能等新兴技术的加快速度进行发展，对芯片性能的要求慢慢的升高。根据摩尔定律，芯片的集成度每18-24个月翻一番，这就要求制造工艺不断突破创新。BAT技术的出现，或将为芯片制造带来新的发展机遇。
专家预测，如果BAT技术能够成功商业化，将极大推动半导体产业的可持续发展。这不仅有助于降低芯片生产所带来的成本，还能减少碳排放，助力全球科学技术产业的绿色转型。
到达目的地的路有很多，未来去的人也会慢慢的多，大家都在追赶的过程中，遏止和打压没有多大意义。
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在阅读此文之前，麻烦您点击一下“关注”，既方便您进行讨论和分享，又能给您带来不一样的参与感，感谢您的支持文、编辑小娄2022年12月29日这天，消失在大众视野许久的央视主持人朱军在社交平台上更新了一则内容。
